參數(shù)資料
型號: AS6C4008-55TIN
廠商: ALLIANCE MEMORY INC
元件分類: SRAM
英文描述: IC,AS6C4008-55TIN,TSOP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V
中文描述: 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
封裝: 8 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, TSOP1-32
文件頁數(shù): 4/14頁
文件大?。?/td> 1335K
代理商: AS6C4008-55TIN
32-pin 400mil TSOP-Ⅱ Package Outline Dimension
AUGUST 2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG/09, v 1.0.a
Alliance Memory Inc
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相關PDF資料
PDF描述
AS6C6264-55PCN IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V
AS7C1024B-12JCN IC,AS7C1024B-12JCN,SOJ-32 SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-12TCN IC,AS7C1024B-12TCN,SOJ-32, SRAM,12NS,128K X 8,5V
AS7C1024B-10JCN 128K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO32
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
AS6C4008-55TINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008-55ZIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008-55ZINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008A-55BIN 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
AS6C4008A-55BINTR 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray