參數(shù)資料
型號： APT100GF60JR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 84K
代理商： APT100GF60JR
052-6261
Rev
A
6-2002
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
VCC = 0.66 VCES
Ets = Eon + Eoff
VCE(on)
td(off)
td(on)
tf
tr
1
Figure 15, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 16, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
VCC
RG
RL =
.5 VCES
I C2
10%
90%
VGE(on)
VCE(off)
VGE(off)
2
1
From
Gate Drive
Circuitry
D.U.T.
B
IC
90%
10%
90%
10%
90%
Eoff
tf
td(off)
td(on)
tr
Eon
IC
VCLAMP
100uH
VCHARGE
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VC
A
RG
VC
D.U.T.
VCE(SAT)
t=2us
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
Dimensions in Millimeters and (Inches)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
11.8 (.463)
12.2 (.480)
8.9 (.350)
9.6 (.378)
Hex Nut M4
(4 places)
0.75 (.030)
0.85 (.033)
12.6 (.496)
12.8 (.504)
25.2 (0.992)
25.4 (1.000)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
* Emitter
Collector
Gate
*
r = 4.0 (.157)
(2 places)
4.0 (.157)
4.2 (.165)
(2 places)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
(4 places)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
* Emitter
Emitter terminals are shorted
internally. Current handling
capability is equal for either
Emitter terminal.
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PDF描述
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