參數(shù)資料
型號(hào)： AON4602
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： AON4602
AON4602
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
165
0
5
10
15
0
1
2
-V
DS
(Volts)
3
4
5
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-1.5V
-2.0V
-2.5V
-4.5V
-8V
-3.0V
0
2
4
6
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
25°C
125°C
V
DS
=-5V
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
Ω
)
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-2.5V
I
D
=-2.5A
V
GS
=-1.8V
I
D
=-1.5A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-3.4A
50
100
150
200
0
2
4
6
8
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source
Voltage
R
D
Ω
)
I
D
=-3.4A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AON4602L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4603 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4604 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4701 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AON4701L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
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參數(shù)描述
AON4602L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4603 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AON4604 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5.4A/3.8A 8-Pin DFN
AON4605 功能描述:MOSFET COMPL 30V 4.3/3.4A DFN3X2 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AON4605_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.3A/3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4.3A，3.4A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 4.3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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