參數(shù)資料
型號： AM29F800BB-120EE
廠商： ADVANCED MICRO DEVICES INC
元件分類： PROM
英文描述： 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory
中文描述： 512K X 16 FLASH 5V PROM, 120 ns, PDSO48
封裝： MO-142DD, TSOP-48
文件頁數(shù)： 26/39頁
文件大?。?/td> 518K
代理商： AM29F800BB-120EE
32
Am29F800B
P R E L I M I NARY
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note: Not 100% tested.
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std.
Description
Unit
tVIDR
VID Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
tRSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
s
Note: The system may use OE# or CE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within the
erase-suspended sector.
21504C-20
Figure 17.
DQ2 vs. DQ6
Enter
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
Program
Resume
Embedded
Erasing
RESET#
tVIDR
12 V
0 or 5 V
CE#
WE#
RY/BY#
tVIDR
tRSP
Program or Erase Command Sequence
0 or 5 V
21504C-21
Figure 18.
Temporary Sector Unprotect Timing Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AM29F800BT-90DGE1 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1
AM29F800BB-90DGE1 ESD-Safe Illuminated Binocular Microscope; RoHS Compliant: Yes
AM29F800BT-90DGI1 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1
AM29F800BB-90DGI1 8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 5.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory-Die Revision 1
Am29LV640DH90REEN 64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI Control
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參數(shù)描述
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AM29F800BB-55EF\\T 制造商:Spansion 功能描述:IC 8MEG(512K16)BOTTOM SCTOR 100K (CS39S)
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