參數(shù)資料
型號： AGR19030EF
廠商： LSI CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： FM-2
文件頁數(shù)： 10/11頁
文件大小： 217K
代理商： AGR19030EF
8
Agere Systems Inc.
30 W, 1930 MHz—1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
June 2004
AGR19030EF
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2 carrier N-CDMA measurement.
Figure 8. ACPR vs. POUT
Test Conditions:
VDD = 28 Vdc, f1 = 1958.75 MHz, f2 = 1961.25 MHz, 2 carrier N-CDMA measurement.
Figure 9. IM3 vs. POUT
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
30
35
40
45
POUT (dBm)Z
AC
PR
(dBc
)Z
IDQ = 250 mA
IDQ = 400 mA
IDQ = 450 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 300 mA
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
30
35
40
45
POUT (dBm)Z
IM3
(
d
B
c)
Z
IDQ = 250 mA
IDQ = 450 mA
IDQ = 400 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 300 mA
相關PDF資料
PDF描述
AGR21180EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AGR21180EF S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
AH118-89G 60 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH125-89G 400 MHz - 3600 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
AH212-S8G 1800 MHz - 2400 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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AGR19060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1930 MHz-1990 MHz, PCS LDMOS RF Power Transistor
AGR19060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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