AUIRLR120N

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

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功能描述
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

AUIRLR120N 技術(shù)參數(shù)

AUIRLR024ZTRL 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):最後搶購 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:9.9nC @ 5V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:380pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:35W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 9.6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AUIRLR024Z 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:58 毫歐 @ 9.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLR024NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRLR024N 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:480pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRLR014NTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:7.9nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:265pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA）標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRLR3410 AUIRLR3410TR AUIRLR3410TRL AUIRLR3636 AUIRLR3705Z AUIRLR3915 AUIRLS3034 AUIRLS3034-7P AUIRLS3034-7TRL AUIRLS3036 AUIRLS3036-7P AUIRLS3036-7TRL AUIRLS3036TRL AUIRLS3114Z AUIRLS4030 AUIRLS4030-7P AUIRLS4030-7TRL AUIRLS4030TRL