AO4618

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
MOSFET N/P-CH 40V 8/7A 8SOIC
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
系列
-
產(chǎn)品目錄繪圖
8-SOIC Mosfet Package
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
FET 型
2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
75 毫歐 @ 4.6A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
1.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerPAK? SO-8
包裝
Digi-Reel®
產(chǎn)品目錄頁(yè)面
1664 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
SI7948DP-T1-GE3DKR

AO4618 技術(shù)參數(shù)

AO4616L_102 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A，7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4616 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A，7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:888pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4614BL_103 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4614B_101 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4614B 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:650pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO4710 AO4710L_101 AO4712 AO4714 AO4718 AO4720 AO4722 AO4724 AO4726 AO4728 AO4752 AO4771 AO4771L AO4772 AO4800B AO4800L AO4801A AO4801AL