ATP207-S-TL-H

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

ATP207-S-TL-H
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
90000
SANYO
TO-252
09+
-
全新原裝現(xiàn)貨

ATP207-S-TL-H
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
3091
ON
NA
2228+
-
十年專營(yíng)，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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功能描述
MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK
制造商
on semiconductor
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
上次購(gòu)買時(shí)間
FET 類型
-
FET 功能
-
漏源極電壓（Vdss）
-
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
-
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
-
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
-
功率 - 最大值
-
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
ATPAK（2 引線 + 接片）
供應(yīng)商器件封裝
ATPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,000

ATP207-S-TL-H 技術(shù)參數(shù)

ATP206-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:40A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP204-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4600pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP203-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2750pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP202-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1650pF @ 10V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 ATP201-V-TL-H 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):上次購(gòu)買時(shí)間 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓（Vdss）:- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:- 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應(yīng)商器件封裝:ATPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H ATP613-TL-H ATPANCOORDINATOR-EK ATPH18500150SET ATPH18500200SET ATPH18650200SET ATPH18650250SET ATPH33MAHA ATPL00B-AZU-Y ATPL00BDK-99