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APTM100A23SCTG

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APTM100A23SCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM100A23SCTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM100A18FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):43A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 21.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):372nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10400pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM100A13SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):156 毫歐 @ 32.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):156 毫歐 @ 32.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A13DG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):65A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):156 毫歐 @ 32.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):562nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):15200pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM100A12STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):68A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):616nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM100DDA35T3G APTM100DSK35T3G APTM100DU18TG APTM100DUM90G APTM100H18FG APTM100H35FT3G APTM100H35FTG APTM100H45FT3G APTM100H45SCTG APTM100H45STG APTM100H46FT3G APTM100H80FT1G APTM100SK18TG APTM100SK33T1G APTM100SK40T1G APTM100SKM90G APTM100TA35FPG APTM100TA35SCTPG
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