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APTGF50DH60TG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGF50DH60TG
    APTGF50DH60TG

    APTGF50DH60TG

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT MODULE NPT ASYM

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTGF50DH60TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGF50DH60TG 技術(shù)參數(shù)
  • APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50DH120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50DDA60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.45V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):2.2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50DDA120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.45nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG
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