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AOI4S60

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  • 說明
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  • AOI4S60
    AOI4S60

    AOI4S60

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 29995

  • AO/萬代

  • TO-251

  • 13+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • AOI4S60
    AOI4S60

    AOI4S60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-251A

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • AOI4S60
    AOI4S60

    AOI4S60

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯系人：田小姐/高先生/李小姐

    電話：0755-828102988281039882810298

    地址：深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D（地王大廈周邊）

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • AO/萬代

  • TO-251

  • 15+

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  • 深圳現貨★原廠品質★提供PCB板配單業(yè)務

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
AOI4S60 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • aMOS™
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A，10V
  • Id 時的 Vgs(th)（最大）
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOI4S60 技術參數
  • AOI4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.3 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:640pF @ 25V 功率 - 最大值:104W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI4C60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 1.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:910pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI482 功能描述:MOSFET N-CH 100V 32A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta），32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI472A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 18A TO251A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1333pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:70 AOI468 功能描述:MOSFET N CH 300V 11.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:300V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:420 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-50°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短截引線，IPak 供應商器件封裝:TO-251A 標準包裝:3,500 AOI518 AOI518_001 AOI530 AOI538 AOI5N40 AOI7N60 AOI7N65 AOI7S65 AOI8N25 AOI9N50 AOK10B60D AOK10N90 AOK15B60D AOK18N65L AOK20B120D1 AOK20B120E1 AOK20B120E2 AOK20B135D1
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