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AOD4187
北京首天偉業(yè)科技有限公司
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聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
AOS
TO-252
2010+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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深圳市深美諾電子科技有限公司
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聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室
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22+
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全新原裝現貨供應

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深圳市晶美隆科技有限公司
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聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業(yè)執(zhí)照
15862
AOS
11PBF
23+
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全新原裝正品現貨熱賣

AOD4187
無錫固電半導體股份有限公司
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聯系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
DPAK/TO-252
24+
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國產品牌，替代進口

AOD4187L
深圳市琦凌凱科技有限公司
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聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A19
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
AOS/ 萬代
TO-252
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十年配單，只做原裝

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深圳市華芯盛世科技有限公司
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聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
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制造商
Alpha & Omega Semiconductor
功能描述
Trans MOSFET P-CH 40V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

AOD4187 技術參數

AOD4186 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）標準包裝:2,500 AOD4185L_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購標準包裝:2,500 AOD4185L_003 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 AOD4185L 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):初步 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:55nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:62.5W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-252，（D-Pak）封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:2,500 AOD4185_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):最後搶購標準包裝:2,500 AOD442 AOD444 AOD4454 AOD446 AOD446_001 AOD450 AOD4504 AOD452 AOD452AL_008 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474