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ALD212904PAL

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  • 制造商
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 10V 79MA 8PDIP
ALD212904PAL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD212902SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212902PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 10μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:20mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD212900ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?，Zero Threshold? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 N 溝道（雙）配對(duì) FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:14 歐姆 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:10mV @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD2301ASAL ALD2301BPAL ALD2301BSAL ALD2301CPAL ALD2301CSAL ALD2301PAL ALD2301SAIL ALD2301SAL ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL ALD2302SAL ALD2303APAL ALD2303ASAL ALD2303PAL ALD2303SAL ALD2321APCL ALD2321ASCL
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