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A2T18S162W31GSR3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • A2T18S162W31GSR3
    A2T18S162W31GSR3

    A2T18S162W31GSR3

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • NXP USA Inc.

  • IC TRANS RF LDMOS

  • 22+

  • -
  • A2T18S162W31GSR3
    A2T18S162W31GSR3

    A2T18S162W31GSR3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • FreescaleSemiconductor-NX

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
A2T18S162W31GSR3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA
  • 制造商
  • freescale semiconductor - nxp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 晶體管類型
  • LDMOS
  • 頻率
  • 1.84GHz
  • 增益
  • 20.1dB
  • 電壓 - 測試
  • 28V
  • 額定電流
  • -
  • 噪聲系數(shù)
  • -
  • 電流 - 測試
  • 1A
  • 功率 - 輸出
  • 32W
  • 電壓 - 額定
  • 65V
  • 封裝/外殼
  • NI-780GS-2L2LA
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • NI-780GS-2L2LA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 250
A2T18S162W31GSR3 技術(shù)參數(shù)
  • A2T18S160W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2LA 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-2L2LA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18S160W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應(yīng)商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18H455W23NR6 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:14.5dB 電壓 - 測試:31.5V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1.08A 功率 - 輸出:56dBm 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-1230-4L2S 供應(yīng)商器件封裝:OM-1230-4L2S 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T18H450W19SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS 1.805GHz ~ 1.88GHz 16.5dB 89W NI-1230S-8 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:16.5dB 電壓 - 測試:- 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:89W 電壓 - 額定:30V 封裝/外殼:NI-1230S-8 變式,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230S-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T18H410-24SR6 功能描述:RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 800mA 1.81GHz 17.4dB 71W NI-1230-4LS2L 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS(雙) 頻率:1.81GHz 增益:17.4dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:71W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-1230-4LS2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-1230-4LS2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 A2T21H100-25SR3 A2T21H140-24SR3 A2T21H360-23NR6 A2T21H360-24SR6 A2T21H410-24SR6 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1
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