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APT75GP120J

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Microsemi APT75GP120J IGBTs
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
  • 制造商
  • Microsemi
  • 功能描述
  • Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 128A 4-Pin SOT-227
APT75GP120J 技術(shù)參數(shù)
  • APT75GP120B2G 功能描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.9V @ 15V，75A 功率 - 最大值:1042W 開(kāi)關(guān)能量:1620μJ（開(kāi)），2500μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:320nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:20ns/163ns 測(cè)試條件:600V，75A，5 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN60LDQ3G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，75A 功率 - 最大值:536W 開(kāi)關(guān)能量:2500μJ（開(kāi)），2140μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN60BG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，75A 功率 - 最大值:536W 開(kāi)關(guān)能量:2500μJ（開(kāi)），2140μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 [B] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN60B2DQ3G 功能描述:IGBT 600V 155A 536W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 IGBT 類(lèi)型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，75A 功率 - 最大值:536W 開(kāi)關(guān)能量:2500μJ（開(kāi)），2140μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開(kāi)關(guān)能量:8620μJ（開(kāi)），11400μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:425nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:60ns/620ns 測(cè)試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG APT8075BN APT80F60J APT80GA60B APT80GA60LD40
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