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參數資料
| 型號： | 2SK404D |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 20 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 封裝： | SPA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | 2SK404D |
2SK404
No.1403-3/4
yfs -- IDSS
Frequency, f -- Hz
NF -- f
Noise
Figure,
NF
--
dB
Noise
Figure,
NF
--
dB
Input
Capacitance,
Ciss
--
pF
Reverse
T
ransfer
Capacitance,
Crss
--
pF
NF -- f
yfs -- ID
Drain Current, ID -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain Current, IDSS -- mA
Forward
T
ransfer
Admittance,
y
fs
-
mS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Crss -- VDS
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Ciss -- VDS
10
100
1k
1M
10k
100k
0
2
4
6
8
10
12
14
ITR00689
VDS=5V
ID=3.0mA
Rg=500Ω
1k
Ω
10kΩ
ID=0.1mA
0.3mA
ITR00690
10
100
1k
1M
10k
100k
0
2
4
6
8
10
12
14
VDS=5V
Rg=1k
Ω
3mA
I DS
S
=3.0m
A
5.0mA
10m
A
ITR00685
VDS=5V
f=1kHz
0.1
5
3
2
7
5
3
2
1.0
2
7
10
5
3
2
10
1.0
7
100
7
5
3
2
ITR00686
VDS=5V
VGS=0V
f=1kHz
5
3
2
1.0
2
7
10
5
3
2
10
7
ITR00687
VGS=0V
f=1MHz
2
3
5
7
10
3
5
7
100
1.0
57
10
7
22
33
5
ITR00688
VGS=0V
f=1MHz
2
3
5
7
1.0
3
5
7
10
1.0
57
10
7
22
33
5
Ambient Temperature, Ta --
°C
PD -- Ta
Allowable
Power
Dissipation,
P
D
--
mW
0
20
40
60
80
100
120
140
0
40
80
120
160
200
240
ITR00691
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4057-ZK-E1-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4057(1)-S27-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4057-ZK-E2-AY | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4057 | 30 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4062LS | 18 A, 450 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK404E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK404F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK |
| 2SK405 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK405 |
| 2SK4057-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK4057-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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