- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄48162 > 2SK3431-Z 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | 2SK3431-Z |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 83 A, 40 V, 0.0089 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2SK3431-Z |
Data Sheet D14600EJ3V0DS
2
2SK3431
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 40 V, VGS = 0 V10
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0V
±10
A
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
| yfs |VDS = 10 V, ID = 42 A30
60
S
RDS(on)1
VGS = 10 V, ID = 42 A4.5
5.6
m
Drain to Source On-state Resistance
RDS(on)2
VGS = 4 V, ID = 42 A6.2
8.9
m
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V
6100
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
1400
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
700
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 20 V, ID = 42 A
120
ns
Rise Time
tr
VGS = 10 V
1800
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
350
ns
Fall Time
tf
440
ns
Total Gate Charge
QG
VDD = 32 V
110
nC
Gate to Source Charge
QGS
VGS = 10 V18
nC
Gate to Drain Charge
QGD
ID = 83 A31
nC
Body Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 83 A, VGS = 0 V1.0
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 83 A, VGS = 0 V65
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
s
110
nC
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
RG = 25
50
PG.
L
VDD
VGS = 20
→ 0 V
BVDSS
IAS
ID
VDS
Starting Tch
VDD
D.U.T.
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
VGS
Wave Form
ID
Wave Form
VGS
10%
90%
VGS
10%
0
ID
90%
td(on)
tr td(off)
tf
10%
τ
ID
0
ton
toff
PG.
50
D.U.T.
RL
VDD
IG = 2 mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3453 | 10 A, 700 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3474-01 | 33 A, 150 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3543 | 2 A, 450 V, 2.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3557-6 | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2SK3557-7 | 50 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SK3431-Z-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 40V 83A 5.6m@10V TO220SMD Bulk |
| 2SK3431-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:83A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.6 毫歐 @ 42A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 |
| 2SK3431-ZJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 83A I(D) | TO-263AB |
| 2SK3432 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3432-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 40V 83A 4m@10V TO220AB Cut Tape 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 40V 83A 4m@10V TO220AB Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。