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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SA1830 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | FLP-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 59K |
| 代理商： | 2SA1830 |
2SA1830/2SC4734
No.4409–3/5
35
7
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23
5
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0.1
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23
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2
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--1.0
2
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hFE -- IC
ITR04832
--10
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7
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--100
23
5
7--1000
23
hFE -- IC
ITR04831
2SA1830
VCE=--10V
Ta=75
°C
--10
--1.0
--0.1
2
3
2
3
5
7
3
5
7
23
5
7
35
7
--100
23
5
7 --1000
--25°C
Ta=75°C
10
100
10
2
3
2
3
5
7
3
5
7
23
5
7
35
7
100
23
5
7 1000
23
--25°C
25
°C
Ta=75°C
f T -- IC
ITR04837
2SC4734
VCE=10V
f T -- IC
ITR04838
35
7
10
23
5
7
100
23
5
7
2SC4734
VCE=10V
2SA1830
VCE=--10V
VCE (sat) -- IC
ITR04833
7
5
0.1
7
5
3
2
1.0
2
VCE (sat) -- IC
ITR04834
25°C
Ta=75°C
--25
°C
2SC4734
IC / IB=10
VBE (sat) -- IC
ITR04835
VBE (sat) -- IC
ITR04836
25°C
Ta=--25°C
75°C
2SC4734
IC / IB=10
25°C
Ta=75°C
--25°C
2SA1830
IC / IB=10
2SA1830
IC / IB=10
25°C
--25
°C
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Collector-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
CE
(sat)
–
V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Collector Current, IC – mA
Base-to-Emitter
Saturation
Voltage,
V
BE
(sat)
–V
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – mA
Gain-Bandwidth
Product,
f T
–
MHz
Collector Current, IC – mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA1830E | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SA1830-C | 2 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4734E | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4734 | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2SC4734-D | 2 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1832 | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP, 50V, 150mA |
| 2SA1832F-GR(TPL3,F | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832F-Y(TPL3,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Cut Tape |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT -150mA -0.3V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1832-GR(T5L,F,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANSISTOR PNP SSM |
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