2N6045

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功能描述
達林頓晶體管 NPN Darl SW
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

2N6045 技術(shù)參數(shù)

2N6043G 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6043 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6042G 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6042 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 3A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 2N6041 功能描述:TRANS PNP DARL 80V 8A TO-220 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 16mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG 2N6073AG 2N6073BG 2N6075AG 2N6075BG 2N6076 2N6076_D26Z 2N6076_D27Z 2N6076_D75Z 2N6099 2N6107 2N6107G 2N6109 2N6109G