2N6036

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型號
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封裝
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功能描述
達(dá)林頓晶體管 PNP Darlington
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

2N6036 技術(shù)參數(shù)

2N6035G 功能描述:TRANS PNP DARL 60V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N6034G 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N6034 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 4A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達(dá)林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 2A，3V 功率 - 最大值:40W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N6028RLRPG 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6028RLRP 功能描述:THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):過期電壓:40V 功率耗散（最大值）:300mW 電壓 - 輸出:11V 電壓 - 偏移（Vt）:600mV 電流 - 柵極至陽極漏（Igao）:10nA 電流 - 谷值（Iv）:25μA 電流 - 峰值:150nA 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N6042G 2N6043 2N6043G 2N6045 2N6045G 2N6048 2N6049 2N6051 2N6052 2N6052G 2N6055 2N6058 2N6059 2N6071AG 2N6071ATG 2N6071BG 2N6071BT 2N6071BTG