2N5657G

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
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價(jià)格
說明
操作

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 1A 250V 20W NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N5657G 技術(shù)參數(shù)

2N5657 功能描述:TRANS NPN 350V 0.5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-32-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 2N5655G 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5655 功能描述:TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:10V @ 100mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 100mA，10mV 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-225AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N5639RLRAG 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5639G 功能描述:JFET N-CH 35V 0.31W TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:35V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:25mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:10pF @ 12V（VGS）電阻 - RDS（開）:60 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:310mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 2N5680 2N5681 2N5682 2N5683 2N5684 2N5684G 2N5685 2N5686 2N5686G 2N5769 2N5770 2N5770_D26Z 2N5770_D27Z 2N5770_D74Z 2N5770_D75Z 2N5771 2N5771_D26Z 2N5771_D27Z