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2N4427

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
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2N4427 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN VHF/UHF AM
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產(chǎn)品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N4427 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 3mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):30nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,4.5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4416A-E3 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4416A-2 功能描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4416A 功能描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):35V 漏源極電壓(Vdss):35V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2.5V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-72 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4856JTXV02 2N4856UB 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02
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