2N3440

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封裝
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說明
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功能描述
兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產(chǎn)品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2N3440 技術(shù)參數(shù)

2N3439UA 功能描述:TRANS NPN 350V 1A UA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，無引線供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3439U4 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應(yīng)商器件封裝:U4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3439L 功能描述:TRANS NPN 350V 1A TO-5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:2μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AA，TO-5-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-5 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3439 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 4mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:15MHz 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 2N3421U4 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N3485A 2N3486 2N3486A 2N3498 2N3498L 2N3499 2N3499L 2N3500 2N3500L 2N3501 2N3501L 2N3501UB 2N3506A 2N3506AL 2N3506L 2N3507 2N3507AL 2N3507AU4