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2SCR586D3TL1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 2SCR586D3TL1
    2SCR586D3TL1

    2SCR586D3TL1

    優(yōu)勢(shì)
  • 深圳市安博威科技有限公司
    深圳市安博威科技有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18320850923

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1713室

  • 2500

  • ROHM

  • TO-252-3 (DPAK) (SC-

  • 20+

  • -

  • 只做原裝，型號(hào)齊全，價(jià)格優(yōu)惠。

  • 2SCR586D3TL1
    2SCR586D3TL1

    2SCR586D3TL1

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：155020706551802218672813590991023

    地址：火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 9000

  • TI

  • qfp

  • 20+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨QQ1585971070

  • 2SCR586D3TL1
    2SCR586D3TL1

    2SCR586D3TL1

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 10

  • ROHM

  • C07-三極管

  • -

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
2SCR586D3TL1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 5A
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 80V
  • 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）
  • 300mV @ 100mA，2A
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 1μA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
  • 120 @ 500mA，3V
  • 功率 - 最大值
  • 10W
  • 頻率 - 躍遷
  • 200MHz
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-252
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
2SCR586D3TL1 技術(shù)參數(shù)
  • 2SCR574DGTL 功能描述:TRANS NPN 80V 2A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:CPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR574D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:280MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR573D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:320MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR572D3TL1 功能描述:POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 制造商:rohm semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，3V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:300MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SCR554RTL 功能描述:TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2SD0602ASL 2SD0814ARL 2SD0814ASL 2SD08740RL 2SD0874A0L 2SD0874GRL 2SD08750RL 2SD08750SL 2SD0875GSL 2SD0946AR 2SD0946B 2SD09650RA 2SD09660Q 2SD09660R 2SD0968A0L 2SD0968ARL 2SD1012F-SPA 2SD1012F-SPA-AC
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