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2SC2235-Y,USNHF(M

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2SC2235-Y,USNHF(M PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 晶體管類型
  • NPN
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 800mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 120V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 1V @ 50mA,500mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 80 @ 100mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 900mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 120MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標準包裝
  • 1
2SC2235-Y,USNHF(M 技術(shù)參數(shù)
  • 2SC2235-Y,T6USNF(M 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC2235-Y,T6KEHF(M 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC2235-Y,T6F(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC2235-Y,T6ASHF(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC2235-Y,F(J 功能描述:TRANS NPN 800MA 120V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):120V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應(yīng)商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SC24050RL 2SC24060SL 2SC2411KT146Q 2SC2411KT146R 2SC2412KT146Q 2SC2412KT146R 2SC2412KT146S 2SC2412KT246R 2SC2412KT246S 2SC2413KT146P 2SC2413KT146Q 2SC248000L 2SC2482(FJTN,F,M) 2SC2482(T6TOJS,F,M 2SC24970Q 2SC24970R 2SC2497AQ 2SC25900Q
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