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2N5460_D27Z

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
2N5460_D27Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • JFET P-Channel Transistor General Purpose
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss)
  • 50 mA
  • 漏源電壓 VDS
  • 15 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續(xù)電流
  • 50 mA
  • 配置
  • 安裝風(fēng)格
  • 封裝 / 箱體
  • SC-59
  • 封裝
  • Reel
2N5460_D27Z 技術(shù)參數(shù)
  • 2N5460 功能描述:JFET P-CH 40V 0.31W TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):750mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 功率 - 最大值:310mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N5459_D75Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5459_D74Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5459_D27Z 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5459 功能描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):4mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:625mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N5461RLRA 2N5461RLRAG 2N5462 2N5462_D27Z 2N5462G 2N5484 2N5484_D26Z 2N5484_D27Z 2N5484_D74Z 2N5485 2N5485_D26Z 2N5485_D27Z 2N5485_D74Z 2N5485_D75Z 2N5486 2N5486_D26Z 2N5486_D27Z 2N5486_D74Z
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