2N3851

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N3851
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
solitron
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

2N3851
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-210AA
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產品

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 80V 5A 3PIN TO-59 - Bulk

2N3851 技術參數(shù)

2N3838 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 15mA，150mA 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-扁平封裝供應商器件封裝:6 扁平封裝標準包裝:1 2N3823 功能描述:JFET N-Channel 30V 20mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:* 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:8V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:* 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3822 功能描述:JFET N-Channel 50V 10mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3821 功能描述:JFET N-Channel 50V 2.5mA @ 15V 300mW Through Hole TO-72 制造商:microsemi ire division 系列:軍用， MIL-PRF-19500/375 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:50V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:2.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AF，TO-72-4 金屬罐供應商器件封裝:TO-72 標準包裝:1 2N3820_D26Z 功能描述:JFET P-CH 20V 0.35W TO92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:20V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:300μA @ 10V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:8V @ 10μA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:32pF @ 10V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 功率 - 最大值:350mW 標準包裝:2,000 2N3902 2N3903 2N3903_D26Z 2N3903_D27Z 2N3903_D74Z 2N3903_S00Z 2N3903RLRM 2N3904 2N3904,116 2N3904,412 2N3904_D10Z 2N3904_D27ZS00Z 2N3904_D28Z 2N3904_D81Z 2N3904_J05Z 2N3904_J18Z 2N3904_J25Z 2N3904_J61Z