型號: | 1N4691 |
廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
英文描述: | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓6.2V,最大反向電流10μA的硅外延平面型齊納二極管) |
中文描述: | 硅外延平面的Z -二極管的穩(wěn)定電壓(典型齊納電壓6.2V,最大反向電流10μA的的硅外延平面型齊納二極管) |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大小: | 67K |
代理商: | 1N4691 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N4692 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓6.8V,最大反向電流10μA的硅外延平面型齊納二極管) |
1N4693 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓7.5V,最大反向電流10μA的硅外延平面型齊納二極管) |
1N4700 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓13V,最大反向電流0.05μA的硅外延平面型齊納二極管) |
1N4701 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓14V,最大反向電流0.05μA的硅外延平面型齊納二極管) |
1N4702 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode for Voltage Stabilization(典型齊納電壓15V,最大反向電流0.05μA的硅外延平面型齊納二極管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1N4691_T50A | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N4691_T50R | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數:0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
1N4691-1 | 制造商:Aeroflex 功能描述: |
1N4691C | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 250mW Zener Diodes |
1N4691D | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Silicon 250mW Zener Diodes |