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1N8149

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  • 功能描述
  • TVS DIODE 6.8VWM 12.8VCL MELF
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 齊納
  • 單向通道
  • 1
  • 雙向通道
  • -
  • 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值)
  • 6.8V
  • 電壓 - 擊穿(最小值)
  • 7.79V
  • 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp
  • 12.8V
  • 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs)
  • 11.7A
  • 功率 - 峰值脈沖
  • 150W
  • 電源線路保護
  • 應用
  • 通用
  • 不同頻率時的電容
  • -
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • A,軸向
  • 供應商器件封裝
  • A,軸向
  • 標準包裝
  • 1
1N8149 技術(shù)參數(shù)
  • 1N8148US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N8148 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N8147US 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N8147 功能描述:TVS DIODE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N8035-GA 功能描述:DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 二極管類型:碳化硅肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):650V 電流 - 平均整流(Io):14.6A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 15A 速度:無恢復時間 > 500mA(Io) 反向恢復時間(trr):0ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 650V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:1107pF @ 1V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 250°C 標準包裝:10 1N8154 1N8154US 1N8155 1N8155US 1N8156 1N8156US 1N8157 1N8157US 1N8158 1N8158US 1N8159 1N8159US 1N8160 1N8160US 1N8161 1N8161US 1N8162 1N8162US
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