1N6651

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 50V 20A 3PIN TO-59 - Bulk

1N6651 技術(shù)參數(shù)

1N6643US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 300MA D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:20ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6643 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6642USE3 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6642US/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N6642US 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:300mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:5ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SQ-MELF，D 供應(yīng)商器件封裝:D-5D 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6660DT1 1N6660R 1N6661 1N6662 1N6662US 1N6663 1N6663US 1N6672 1N6672R 1N6673 1N6673R 1N6674 1N6674R 1N6675 1N6676 1N6677-1 1N6677UR-1 1N6700