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1N645UR-1

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 225V 0.4A 2PIN DO-213AA - Bulk
1N645UR-1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N645-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N645-1 功能描述:DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):225V 電流 - 平均整流(Io):400mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 400mA 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:50nA @ 225V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6392 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io):54A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):820mV @ 120A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2mA @ 45V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:3000pF @ 5V,1MHz 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應(yīng)商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6391 功能描述:SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6386HE3_A/D 功能描述:TVS DIODE 18VWM 25.5VC 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級(jí),AEC-Q101,TransZorb? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)(典型值):18V 電壓 - 擊穿(最小值):21.2V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):50A 功率 - 峰值脈沖:1500W(1.5kW) 電源線路保護(hù):無 應(yīng)用:汽車級(jí) 不同頻率時(shí)的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA,DO-27,軸向 供應(yīng)商器件封裝:1.5KE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N6464US 1N6465 1N6465US 1N6466 1N6466US 1N6467 1N6467US 1N6468 1N6468US 1N6469 1N6469US 1N6470 1N6470US 1N6471 1N647-1 1N6471US 1N6472 1N6472US
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