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1N6312

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • 1N6312
    1N6312

    1N6312

  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人:朱平

    電話:0755-83229772-83202753

    地址:辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 133

  • MIXE

  • 原廠

  • 21+

  • -
  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

  • 1N6312US
    1N6312US

    1N6312US

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 2

  • Microchip

  • 瑞智芯 只有原裝

  • 21+

  • -
  • 1N6312US
    1N6312US

    1N6312US

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6

  • MICROSEMI

  • 2014+

  • -
  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • 1N6312US
    1N6312US

    1N6312US

  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
    中山市翔美達(dá)電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱小姐

    電話:155020706551802218672813590991023

    地址:火炬開(kāi)發(fā)區(qū)中山港大道99號(hào)金盛廣場(chǎng)1棟613室

  • 3000

  • 微芯

  • QFP

  • 20+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
1N6312 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.3V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk
1N6312 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6311US 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6311 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6310US 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:60μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6310 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:60μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6309US 功能描述:DIODE ZENER 2.4V 500MW B-SQ MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6320 1N6320US 1N6321 1N6322 1N6322US 1N6323 1N6323US 1N6324 1N6324US 1N6325 1N6325US 1N6327 1N6328 1N6328US 1N6329 1N6330 1N6330US 1N6331
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