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1N6081

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  • 說明
  • 操作
  • 1N6081
    1N6081

    1N6081

  • 標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1

  • MSC

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  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

  • 1N6081
    1N6081

    1N6081

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 500

  • SEMTECH

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1N6081
    1N6081

    1N6081

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1

  • MSC

  • -

  • 公司現(xiàn)貨,只做原裝！

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Diode Switching 150V 12A 2-Pin Case G
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ULTRA FAST RECOVERY RECTFR 150V 12A 2PIN G-MELF - Bulk
1N6081 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6080US 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應(yīng)商器件封裝:G-MELF（D-5C） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6080 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6079US 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，G 供應(yīng)商器件封裝:G-MELF（D-5C） 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6079 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 37.7A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6078US 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 6A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.76V @ 18.8A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:30ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 155°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6100 1N6101 1N6102 1N6102A 1N6102AUS 1N6102US 1N6103 1N6103A 1N6103AUS 1N6103US 1N6104 1N6104A 1N6104AUS 1N6104US 1N6105 1N6105A 1N6105AUS 1N6105US
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