1N5993B BK

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封裝
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說明
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功能描述
DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35
制造商
central semiconductor corp
系列
-
包裝
散裝
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
5.1V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
50 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
2μA @ 2V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1.5V @ 100mA
工作溫度
-65°C ~ 200°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
DO-204AH，DO-35，軸向
供應(yīng)商器件封裝
DO-35
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500

1N5993B BK 技術(shù)參數(shù)

1N5993B 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5993A 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:5.1V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:88 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5992UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5992UR 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5992D 功能描述:DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:4.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:70 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5994B 1N5994B BK 1N5994B TR 1N5994B_T50A 1N5994B_T50R 1N5994B-TP 1N5994C 1N5994D 1N5994UR 1N5994UR-1 1N5995A 1N5995B 1N5995B BK 1N5995B TR 1N5995B_T50A 1N5995B_T50R 1N5995B-TP 1N5995C