1N5518B (DO35)

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DO-35 SD - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35

1N5518B (DO35) 技術(shù)參數(shù)

1N5518B 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5420US 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5420 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:400ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419US 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A D5B 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:E-MELF 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5419E3 功能描述:DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:500V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 500V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:B，軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N5521BUR-1 1N5522B 1N5522B (DO35) 1N5522BUR-1 1N5523B-1 1N5523BUR-1 1N5524B 1N5524B (DO35) 1N5525B 1N5525B (DO35) 1N5525B-1 1N5526B (DO35) 1N5526BUR-1 1N5527B 1N5527B (DO35) 1N5527BUR-1 1N5528B 1N5528B (DO35)