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1N5401-G

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  • 1N5401-G
    1N5401-G

    1N5401-G

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關(guān)村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Comchip Technology

  • 標準封裝

  • 23+

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  • 真實的資源竭誠服務您！

  • 1N5401-G
    1N5401-G

    1N5401-G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

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  • 1N5401-G
    1N5401-G

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • COMCHIPTECHNOLOGY

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  • 最新批號

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  • 功能描述
  • 二極管 - 通用，功率，開關(guān) VR=100V, IO=3A
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 產(chǎn)品
  • Switching Diodes
  • 峰值反向電壓
  • 600 V
  • 正向連續(xù)電流
  • 200 A
  • 最大浪涌電流
  • 800 A
  • 配置
  • 恢復時間
  • 2000 ns
  • 正向電壓下降
  • 1.25 V
  • 最大反向漏泄電流
  • 300 uA
  • 最大功率耗散
  • 工作溫度范圍
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • ISOTOP
  • 封裝
  • Tube
1N5401-G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5401G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5401-E3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 1N5401-E3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5401-B 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:50pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標準包裝:500 1N5401/54 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:30pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標準包裝:1 1N5401RLG 1N5401-T 1N5401TA 1N5401-TP 1N5402 1N5402/54 1N5402-B 1N5402-E3/51 1N5402-E3/54 1N5402-E3/73 1N5402G 1N5402-G 1N5402G A0G 1N5402G B0G 1N5402G R0G 1N5402GHA0G 1N5402GHB0G 1N5402GHR0G
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