1N5263C-TAP

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1N5263C-TAP
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4556
VISHAY
1425
-
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功能描述
穩(wěn)壓二極管 56 Volt 0.5W 2%
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N5263C-TAP 技術參數(shù)

1N5263BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N5263B-TR 功能描述:DIODE ZENER 2.2A 56V DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5263B-TP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B-TAP 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5263B-T50R 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:150 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 43V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:1N5263 標準包裝:1 1N5264B-T 1N5264B-TAP 1N5264B-TP 1N5264B-TR 1N5264BUR-1 1N5264C-TAP 1N5264C-TR 1N5265 1N5265A 1N5265A (DO-35) 1N5265B 1N5265B (DO-35) 1N5265B TR 1N5265BDO35 1N5265BDO35E3 1N5265B-T 1N5265B-TAP 1N5265B-TP