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1N5241B A0G

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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1N5241B A0G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 11V 500MW DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶盒（TB）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）
  • 11V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 22 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 1μA @ 8.4V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
  • 1.1V @ 200mA
  • 工作溫度
  • 100°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標準包裝
  • 5,000
1N5241B A0G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N5241B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 1N5241B 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N5241A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N5241A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標準包裝:1 1N5240TA 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:17 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 1N5241BTR 1N5241B-TR 1N5241BUR-1 1N5241C-TAP 1N5241C-TP 1N5241C-TR 1N5241TA 1N5242A (DO-35) 1N5242B 1N5242B (DO-35) 1N5242B A0G 1N5242B BK 1N5242B TR 1N5242B_S00Z 1N5242B_T50A 1N5242B_T50R 1N5242BDO35 1N5242BDO35E3
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