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1N4753CP/TR8

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 1.0W 36V 2% DO41
1N4753CP/TR8 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4753CP/TR12 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000 1N4753CE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N4753AUR 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO213AB 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4753A-TR 功能描述:DIODE ZENER 36V 1.3W DO41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4753A-TP 功能描述:DIODE ZENER 36V 1W DO41G 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 27.4V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41G 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4753PE3/TR12 1N4753PE3/TR8 1N4754 G 1N4754A 1N4754A A0G 1N4754A B0G 1N4754A BK 1N4754A G 1N4754A R0G 1N4754A R1G 1N4754A TR 1N4754A_T50A 1N4754A_T50R 1N4754AE3/TR13 1N4754AG 1N4754AHA0G 1N4754AHB0G 1N4754AHR0G
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