1N4728A G

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功能描述
DIODE ZENER 3.3V 1W DO-41
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
系列
-
電壓 - 齊納（標(biāo)稱）(Vz)
36V
電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
電流 - 在 Vr 時反向漏電
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 歐姆
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-323
包裝
剪切帶 (CT)
工作溫度
-65°C ~ 150°C
產(chǎn)品目錄頁面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N4728A G 技術(shù)參數(shù)

1N4728A BK 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 1N4728A 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-41 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 1N4728 G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±10% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4725 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io）反向恢復(fù)時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:軸向供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4724 功能描述:STANDARD RECTIFIER 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4728A-TAP 1N4728A-TP 1N4728ATR 1N4728A-TR 1N4728ATR_S00Z 1N4728AUR 1N4728G A0G 1N4728G R0G 1N4728UR-1 1N4729 G 1N4729A 1N4729A G 1N4729A TR 1N4729A,113 1N4729A,133 1N4729A_S00Z 1N4729A_T50A 1N4729A_T50R