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1N4148 A0G

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  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 100V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 150mA
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 100mA
  • 速度
  • 小信號 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • 4ns
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 75V
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • 4pF @ 0V,1MHz
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 150°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
1N4148 A0G 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4148 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD27 制造商:fairchild/micross components 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:4pF @ 0V,1MHz 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4135UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4135UR 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):1500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4135-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4135 (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 400MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):1500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4148_T26R 1N4148_T50A 1N4148_T50R 1N4148-1 1N4148-1/TR 1N4148-1E3 1N4148-A 1N4148-G 1N4148-P-TAP 1N4148-P-TR 1N4148-T 1N4148-T26A 1N4148-T50A 1N4148-T50R 1N4148T-72 1N4148T-73 1N4148T-77 1N4148TA
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