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1N3070-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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  • 操作
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1N3070-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 175V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 100mA
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 100mA
  • 速度
  • 小信號 =< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢復(fù)時間(trr)
  • 50ns
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容
  • -
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AA,DO-7,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-7
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -65°C ~ 175°C
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
1N3070-1 技術(shù)參數(shù)
  • 1N3070_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):500mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N3070 功能描述:DIODE GEN PURP 175V 100MA DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):175V 電流 - 平均整流(Io):100mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 175V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-7 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3064TR 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3064_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 75V 300MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):75V 電流 - 平均整流(Io):300mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 10mA 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:2pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C(最大) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30,000 1N3064 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 75MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):75mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 75mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復(fù)時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AA,DO-7,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 125°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N3156 1N3156-1 1N3156UR-1 1N3157-1 1N3157UR-1 1N3161 1N3161R 1N3162 1N3162R 1N3163 1N3163R 1N3164 1N3164R 1N3165 1N3165R 1N3166 1N3166R 1N3167
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