1269AS-H-6R8M=P2

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1269AS-H-6R8M=P2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
MURATA/村田
SMD
最新批號
-
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1269AS-H-6R8M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百正品

1269AS-H-6R8M=P2
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148
36000000
Murata
22+
-
原裝正品

1269AS-H-6R8M=P2
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
3000
MURATA
主營優(yōu)勢
19+
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100%原裝正品★終端免費供樣★

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功能描述
6.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 516 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252010C
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
類型
繞線
材料 - 磁芯
鐵粉
電感
6.8μH
容差
±20%
額定電流
1.1A
電流 - 飽和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 電阻（DCR）
516 毫歐最大
不同頻率時的 Q 值
-
頻率 - 自諧振
-
等級
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
頻率 - 測試
1MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安裝（最大值）
0.039"（1.00mm）
標準包裝
1

1269AS-H-6R8M=P2 技術(shù)參數(shù)

1269AS-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 300 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:300 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 228 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.5A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:228 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 156 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.9A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 108 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:108 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 1269AS-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 78 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010C 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:繞線材料 - 磁芯:鐵粉電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.7A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:78 毫歐最大不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm）標準包裝:1 126M76-032 126MABA02KJS 126MABA03KJS 126MABA04KJS 126MHBS35K2H 126MHBS40K2H 126MHBS45K2J 126MHBS55K2J 126MHBS55K2JA 126MHBS60K2J 126MHBS70K2R 12-6-NB 126NQ200-1 126PHC600K 12-6S 12-6S-P 126SPC200A 12-6S-W